Name: RQ3E180AJTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180AJTBTR-ND
Price: 21.1625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

RQ3E180AJTB
DigiKeys produktnummer	RQ3E180AJTBTR-ND - Tape og spole (TR) RQ3E180AJTBCT-ND - Båndavsnitt (CT) RQ3E180AJTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer	RQ3E180AJTB
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Overflatemontering 8-HSMT (3,2x3)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	RQ3E180AJTB Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 1.5V ved 11mA
Produsent Rohm Semiconductor	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 39 nC @ 4.5 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±12V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 4290 pF @ 15 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 2W (Ta), 30W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 30 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 18A (Ta), 30A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning 8-HSMT (3,2x3)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 2,5V, 4,5V	Kapsling 8-PowerVDFN
Rds på (maks) ved Id, Vgs 4.5mOhm ved 18A, 4.5V	Baseproduktnummer RQ3E180

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 9 668

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)

Produsentens standardpakking

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 16,93000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 21,16250

RQ3E180AJTB