Name: RJ1P10BBHTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RJ1P10BBHTL1TR-ND
Price: 95.075 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

RJ1P10BBHTL1
DigiKeys produktnummer	846-RJ1P10BBHTL1TR-ND - Tape og spole (TR) 846-RJ1P10BBHTL1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 846-RJ1P10BBHTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer	RJ1P10BBHTL1
Beskrivelse	NCH 100V 105A, TO-263AB, POWER M
Produsentens standard leveringstid	18 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 105A (Tc) 189W (Tc) Overflatemontering TO-263AB
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 1mA
Produsent Rohm Semiconductor	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 135 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 8600 pF @ 50 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 189W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 100 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 105A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning TO-263AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 6V, 10V	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Rds på (maks) ved Id, Vgs 3mOhm ved 90A, 10V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 605

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Når tilgjengelig lager av dette produktet er tømt, vil produsentens standardemballasje og leveringstid gjelde.

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT)

Tape og spole (TR)

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
800	kr 29,96035	kr 23 968,28

Produsentens standardpakking

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 76,06000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 95,07500

RJ1P10BBHTL1