R6076MNZ1C9 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 484
Enhetspris : kr 106,69000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 1 044
Enhetspris : kr 5,96000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 5 072
Enhetspris : kr 124,40000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 188
Enhetspris : kr 195,21000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 61
Enhetspris : kr 100,54000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhetspris : kr 86,11000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 509
Enhetspris : kr 101,79000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 797
Enhetspris : kr 231,67000
Datablad
N-kanal 600 V 76A (Tc) 740W (Tc) Gjennomgående hull TO-247
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

R6076MNZ1C9

DigiKeys produktnummer
R6076MNZ1C9-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
R6076MNZ1C9
Beskrivelse
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 600 V 76A (Tc) 740W (Tc) Gjennomgående hull TO-247
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
R6076MNZ1C9 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
55mOhm ved 38A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
115 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
7000 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
740W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-247
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.