MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 567A (Tc) 1780W (Tc) Chassismontering Modul
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSM600D12P4G103

DigiKeys produktnummer
846-BSM600D12P4G103-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
BSM600D12P4G103
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 567A MODULE
Produsentens standard leveringstid
27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 567A (Tc) 1780W (Tc) Chassismontering Modul
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Rohm Semiconductor
Serie
-
Emballasje
Boks
Delestatus
Aktiv
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N-kanal (dobbel)
FET-egenskap
-
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
567A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks) ved Id
4,8V ved 291,2mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
-
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
59000pF ved 10V
Effekt - maks
1780W (Tc)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstype
Chassismontering
Kapsling
Modul
Leverandørens enhetsforpakning
Modul
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 6
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Alle prisene er i NOK
Boks
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 11 260,64000kr 11 260,64
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 11 260,64000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 14 075,80000