BSM300D12P4G101
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
BSM300D12P4G101
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM400D12P2G003

DigiKeys produktnummer
846-BSM400D12P2G003-ND
Produsent
Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer
BSM400D12P2G003
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
Produsentens standard leveringstid
22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 400A (Tc) 2450W (Tc) Modul
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Rohm Semiconductor
Serie
-
Emballasje
Bulk
Delestatus
Aktiv
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N-kanal (halv bro)
FET-egenskap
-
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
400A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 85mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
-
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
38000pF ved 10V
Effekt - maks
2450W (Tc)
Driftstemperatur
-40°C – 150°C (TJ)
Kapsling
Modul
Leverandørens enhetsforpakning
Modul
Baseproduktnummer
BSM400
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 4
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 21 537,89000kr 21 537,89
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 21 537,89000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 26 922,36250