MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Overflatemontering Modul
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Overflatemontering Modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

DigiKeys produktnummer
BSM180D12P3C007-ND
Produsent
Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer
BSM180D12P3C007
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Produsentens standard leveringstid
27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Overflatemontering Modul
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
BSM180D12P3C007 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Rohm Semiconductor
Serie
-
Emballasje
Bulk
Delestatus
Aktiv
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N-kanal (dobbel)
FET-egenskap
-
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
180A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks) ved Id
5.6V ved 50mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
-
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
900pF ved 10V
Effekt - maks
880W
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstype
Overflatemontering
Kapsling
Modul
Leverandørens enhetsforpakning
Modul
Baseproduktnummer
BSM180
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 13
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Når tilgjengelig lager av dette produktet er tømt, vil produsentens standardemballasje og leveringstid gjelde.
Antall
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 5 395,58000kr 5 395,58
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 5 395,58000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 6 744,47500