MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Overflatemontering Modul
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Overflatemontering Modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

DigiKeys produktnummer
BSM180D12P3C007-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
BSM180D12P3C007
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Produsentens standard leveringstid
27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Overflatemontering Modul
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
BSM180D12P3C007 Modeller
Produktegenskaper
Filtrer lignende produkter
Vis tomme egenskaper
Kategori
Vgs(th) (maks) ved Id
5.6V ved 50mA
Produsent
Rohm Semiconductor
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
900pF ved 10V
Emballasje
Bulk
Effekt - maks
880W
Delestatus
Aktiv
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Monteringstype
Overflatemontering
Konfigurasjon
2 N-kanal (dobbel)
Kapsling
Modul
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Leverandørens enhetsforpakning
Modul
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
180A (Tc)
Baseproduktnummer
Miljø- og eksportklassifiseringer
Spørsmål og svar om produktet
Ytterligere resurser
På lager: 13
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Når tilgjengelig lager av dette produktet er tømt, vil produsentens standardemballasje og leveringstid gjelde.
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 5 269,47000kr 5 269,47
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 5 269,47000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 6 586,83750