MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassismontering Modul
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassismontering Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

DigiKeys produktnummer
846-BSM180D12P2E002-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
BSM180D12P2E002
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Produsentens standard leveringstid
27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassismontering Modul
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Filtrer lignende produkter
Vis tomme egenskaper
Kategori
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 35.2mA
Produsent
Rohm Semiconductor
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
18000pF ved 10V
Emballasje
Bulk
Effekt - maks
1360W (Tc)
Delestatus
Aktiv
Driftstemperatur
-40°C – 150°C (TJ)
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Monteringstype
Chassismontering
Konfigurasjon
2 N-kanal (halv bro)
Kapsling
Modul
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Leverandørens enhetsforpakning
Modul
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
204A (Tc)
Baseproduktnummer
Miljø- og eksportklassifiseringer
Spørsmål og svar om produktet
Ytterligere resurser
På lager: 4
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 6 328,86000kr 6 328,86
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 6 328,86000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 7 911,07500