MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassismontering Modul
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassismontering Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

DigiKeys produktnummer
846-BSM180D12P2E002-ND
Produsent
Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer
BSM180D12P2E002
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Produsentens standard leveringstid
27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassismontering Modul
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Rohm Semiconductor
Serie
-
Emballasje
Bulk
Delestatus
Aktiv
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N-kanal (halv bro)
FET-egenskap
-
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
204A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 35.2mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
-
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
18000pF ved 10V
Effekt - maks
1360W (Tc)
Driftstemperatur
-40°C – 150°C (TJ)
Monteringstype
Chassismontering
Kapsling
Modul
Leverandørens enhetsforpakning
Modul
Baseproduktnummer
BSM180
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 4
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 6 480,33000kr 6 480,33
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 6 480,33000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 8 100,41250