MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1130W Modul
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1130W Modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P2C101

DigiKeys produktnummer
BSM180D12P2C101-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
BSM180D12P2C101
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Produsentens standard leveringstid
27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1130W Modul
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
BSM180D12P2C101 Modeller
Produktegenskaper
Filtrer lignende produkter
Vis tomme egenskaper
Kategori
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 35.2mA
Produsent
Rohm Semiconductor
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
23000pF ved 10V
Emballasje
Bulk
Effekt - maks
1130W
Delestatus
Aktiv
Driftstemperatur
-40°C – 150°C (TJ)
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Kapsling
Modul
Konfigurasjon
2 N-kanal (halv bro)
Leverandørens enhetsforpakning
Modul
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Baseproduktnummer
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
204A (Tc)
Miljø- og eksportklassifiseringer
Spørsmål og svar om produktet
Ytterligere resurser
På lager: 1
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Når tilgjengelig lager av dette produktet er tømt, vil produsentens standardemballasje og leveringstid gjelde.
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 5 064,02000kr 5 064,02
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 5 064,02000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 6 330,02500