MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM120D12P2C005

DigiKeys produktnummer
BSM120D12P2C005-ND
Produsent
Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer
BSM120D12P2C005
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Produsentens standard leveringstid
27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
BSM120D12P2C005 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Rohm Semiconductor
Serie
-
Emballasje
Bulk
Delestatus
Aktiv
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N-kanal (halv bro)
FET-egenskap
-
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
120A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
-
Vgs(th) (maks) ved Id
2.7V ved 22mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
-
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
14000pF ved 10V
Effekt - maks
780W
Driftstemperatur
-40°C – 150°C (TJ)
Kapsling
Modul
Leverandørens enhetsforpakning
Modul
Baseproduktnummer
BSM120
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 2
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Når tilgjengelig lager av dette produktet er tømt, vil produsentens standardemballasje og leveringstid gjelde.
Antall
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 3 805,34000kr 3 805,34
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 3 805,34000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 4 756,67500