MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM120D12P2C005

DigiKeys produktnummer
BSM120D12P2C005-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
BSM120D12P2C005
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Produsentens standard leveringstid
27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Modul
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
BSM120D12P2C005 Modeller
Produktegenskaper
Filtrer lignende produkter
Vis tomme egenskaper
Kategori
Vgs(th) (maks) ved Id
2.7V ved 22mA
Produsent
Rohm Semiconductor
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
14000pF ved 10V
Emballasje
Bulk
Effekt - maks
780W
Delestatus
Aktiv
Driftstemperatur
-40°C – 150°C (TJ)
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Kapsling
Modul
Konfigurasjon
2 N-kanal (halv bro)
Leverandørens enhetsforpakning
Modul
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Baseproduktnummer
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
120A (Tc)
Miljø- og eksportklassifiseringer
Spørsmål og svar om produktet
Ytterligere resurser
På lager: 2
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Når tilgjengelig lager av dette produktet er tømt, vil produsentens standardemballasje og leveringstid gjelde.
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 3 510,20000kr 3 510,20
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 3 510,20000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 4 387,75000