IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IPP80N08S406AKSA1 er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

Infineon Technologies

På lager: 0

Enhetspris : kr 24,02000

Similar

IXYS

På lager: 326

Enhetspris : kr 74,98000

Similar

Vishay Siliconix

På lager: 337

Enhetspris : kr 28,24000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPP80N08S406AKSA1
DigiKeys produktnummer	IPP80N08S406AKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPP80N08S406AKSA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO220-3-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPP80N08S406AKSA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	80 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	80A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	5.8mOhm ved 80A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 90µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	70 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4800 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	150W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO220-3-1
Kapsling	TO-220-3
Baseproduktnummer	IPP80N08