TPH3205WSB er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar


Renesas Electronics Corporation
På lager: 388
Enhetspris : kr 180,49000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 5 072
Enhetspris : kr 124,40000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 207
Enhetspris : kr 234,46000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 405
Enhetspris : kr 84,76000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 590
Enhetspris : kr 129,50000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
På lager: 0
Enhetspris : kr 91,59000
Datablad
N-kanal 650 V 36A (Tc) 125W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 650 V 36A (Tc) 125W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPH3205WSB

DigiKeys produktnummer
TPH3205WSB-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
TPH3205WSB
Beskrivelse
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 36A (Tc) 125W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
60mOhm ved 22A, 8V
Vgs(th) (maks) ved Id
2.6V ved 700µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
42 nC @ 8 V
Vgs (maks)
±18V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2200 pF @ 400 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
125W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-247-3
Kapsling
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.