MOSFET-er – matriser 600V 70A (Tc) 470W Gjennomgående hull Modul
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
MOSFET-er – matriser 600V 70A (Tc) 470W Gjennomgående hull Modul
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPD3215M

DigiKeys produktnummer
TPD3215M-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
TPD3215M
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 600V 70A (Tc) 470W Gjennomgående hull Modul
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Emballasje
Bulk
Delestatus
Utdatert
Teknologi
GaNFET (Galliumnitrid)
Konfigurasjon
2 N-kanal (halv bro)
FET-egenskap
-
Drain til Source-spenning
600V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
70A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
34mOhm ved 30A, 8V
Vgs(th) (maks) ved Id
-
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
28nC ved 8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2260pF ved 100V
Effekt - maks
470W
Driftstemperatur
-40°C – 150°C (TJ)
Monteringstype
Gjennomgående hull
Kapsling
Modul
Leverandørens enhetsforpakning
Modul
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert.