TPD3215M Renesas Electronics Corporation | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TPD3215M
DigiKeys produktnummer	TPD3215M-ND
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TPD3215M
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 600V 70A (Tc) 470W Gjennomgående hull Modul
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Emballasje	Bulk
Delestatus	Utdatert
Teknologi	GaNFET (Galliumnitrid)
Konfigurasjon	2 N-kanal (halv bro)
FET-egenskap	-
Drain til Source-spenning	600V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	70A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs	34mOhm ved 30A, 8V
Vgs(th) (maks) ved Id	-
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	28nC ved 8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2260pF ved 100V
Effekt - maks	470W
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Gjennomgående hull
Kapsling	Modul
Leverandørens enhetsforpakning	Modul
Baseproduktnummer	TPD3215