TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TP90H050WS
DigiKeys produktnummer	1707-TP90H050WS-ND
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TP90H050WS
Beskrivelse	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 900 V 34A (Tc) 119W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (kaskode gallium-nitrid FET)
Drain til Source-spenning	900 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	34A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	63mOhm ved 22A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4,4V ved 700µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	17.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	980 pF @ 600 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	119W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-247-3
Kapsling	TO-247-3
Baseproduktnummer	TP90H050