TP65H300G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TP65H300G4LSG-TR
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H300G4LSG-TR-ND - Tape og spole (TR) 1707-TP65H300G4LSG-TRCT-ND - Båndavsnitt (CT) 1707-TP65H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TP65H300G4LSG-TR
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 6,5A (Tc) 21W (Tc) Overflatemontering 3-PQFN (8x8)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TP65H300G4LSG-TR Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Ikke lenger tilgjengelig hos Digi-Key
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	6,5A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	8V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	312mOhm ved 5A, 8V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.6V ved 500µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	9.6 nC @ 8 V
Vgs (maks)	±18V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	760 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	21W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	3-PQFN (8x8)
Kapsling	3-PowerDFN
Baseproduktnummer	TP65H300