Name: TP65H070LSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070LSG-TR-ND
Price: 180.7875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TP65H070LSG-TR
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H070LSG-TR-ND - Tape og spole (TR) 1707-TP65H070LSG-CT-ND - Båndavsnitt (CT) 1707-TP65H070LSG-DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TP65H070LSG-TR
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Overflatemontering 3-PQFN (8x8)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 85mOhm ved 16A, 10V
Produsent Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (maks) ved Id 4.8V ved 700µA
Serie TP65H070L	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 9.3 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 600 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 96W (Tc)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 650 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 25A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning 3-PQFN (8x8)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling 3-PowerDFN