TP65H035G4WSQA Renesas Electronics Corporation | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TP65H035G4WSQA
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H035G4WSQA-ND
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TP65H035G4WSQA
Beskrivelse	650 V 46.5 GAN FET
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 47,2A (Tc) 187W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	47,2A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	41mOhm ved 30A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4.8V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	22 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1500 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	187W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-247-3
Kapsling	TO-247-3

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 28

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Dette produktet er ikke lenger produsert og vil ikke lenger være lagervare etter at lageret er tømt.

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 202,23000	kr 202,23

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.