Name: RBE029N10R1SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND
Price: 36.25 NOK
Availability: InStock

Nytt produkt

N-kanal 100 V 160A (Tc) 165W (Tc) Overflatemontering 8-DFN (4,9x5,75)

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

RBE029N10R1SZN6#HB0
DigiKeys produktnummer	559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND - Tape og spole (TR) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND - Båndavsnitt (CT) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	RBE029N10R1SZN6#HB0
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Produsentens standard leveringstid	12 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 160A (Tc) 165W (Tc) Overflatemontering 8-DFN (4,9x5,75)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 109µA
Produsent Renesas Electronics Corporation	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 91 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 6500 pF @ 50 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 165W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 100 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 160A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning 8-DFN (4,9x5,75)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling 8-PowerTDFN
Rds på (maks) ved Id, Vgs 2.9mOhm ved 80A, 10V