NP90N06VLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Diskrete halvlederprodukter

NP90N06VLG-E1-AY er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

onsemi

På lager: 2 816

Enhetspris : kr 27,64000

Similar

Infineon Technologies

På lager: 2 268

Enhetspris : kr 5,32704

Similar

Infineon Technologies

På lager: 5 606

Enhetspris : kr 17,89000

Similar

Infineon Technologies

På lager: 444

Enhetspris : kr 26,03000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 2 277

Enhetspris : kr 28,04000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 1 755

Enhetspris : kr 25,13000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

NP90N06VLG-E1-AY
DigiKeys produktnummer	NP90N06VLG-E1-AYTR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	NP90N06VLG-E1-AY
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 90A TO252
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 90A (Tc) 1,2W (Ta), 105W (Tc) Overflatemontering TO-252
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NP90N06VLG-E1-AY Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR)
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	90A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	7.8mOhm ved 45A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	135 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	6900 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	1,2W (Ta), 105W (Tc)
Driftstemperatur	175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	TO-252
Kapsling	TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63