NTR3A30PZT1G onsemi | Diskrete halvlederprodukter

NTR3A30PZT1G er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

Diodes Incorporated

På lager: 25 410

Enhetspris : kr 4,52000

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 52 650

Enhetspris : kr 8,44000

Similar

MCC (Micro Commercial Components)

På lager: 1 683

Enhetspris : kr 5,33000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

NTR3A30PZT1G
DigiKeys produktnummer	NTR3A30PZT1GOSTR-ND - Tape og spole (TR) NTR3A30PZT1GOSCT-ND - Båndavsnitt (CT) NTR3A30PZT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	onsemi
Produsentens produktnummer	NTR3A30PZT1G
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 20 V 3A (Ta) 480mW (Ta) Overflatemontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NTR3A30PZT1G Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	onsemi
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Utdatert
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	20 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	3A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	38mOhm ved 3A, 4.5V
Vgs(th) (maks) ved Id	1V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	17.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)	±8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1651 pF @ 15 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	480mW (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	SOT-23-3 (TO-236)
Kapsling	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Baseproduktnummer	NTR3A30