NTR3A052PZT1G onsemi | Diskrete halvlederprodukter

NTR3A052PZT1G er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Direkte

Diodes Incorporated

På lager: 14 463

Enhetspris : kr 2,61000

Direkte

Diodes Incorporated

På lager: 89 958

Enhetspris : kr 2,61000

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 0

Enhetspris : kr 6,53000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

NTR3A052PZT1G
DigiKeys produktnummer	NTR3A052PZT1GOSTR-ND - Tape og spole (TR) NTR3A052PZT1GOSCT-ND - Båndavsnitt (CT) NTR3A052PZT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	onsemi
Produsentens produktnummer	NTR3A052PZT1G
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 20 V 3,6A (Ta) 860mW (Ta) Overflatemontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NTR3A052PZT1G Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	onsemi
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Utdatert
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	20 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	3,6A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	47mOhm ved 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (maks) ved Id	1V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	11.9 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)	±8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1243 pF @ 4 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	860mW (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	SOT-23-3 (TO-236)
Kapsling	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Baseproduktnummer	NTR3A052