NTHL080N120SC1 onsemi | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

NTHL080N120SC1
DigiKeys produktnummer	NTHL080N120SC1OS-ND
Produsent	onsemi
Produsentens produktnummer	NTHL080N120SC1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 44A (Tc) 348W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NTHL080N120SC1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	onsemi
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	44A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	20V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	110mOhm ved 20A, 20V
Vgs(th) (maks) ved Id	4.3V ved 5mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	56 nC @ 20 V
Vgs (maks)	+25V, -15V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1670 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	348W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-247-3
Kapsling	TO-247-3
Baseproduktnummer	NTHL080