FQD5N50CTM-WS er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


onsemi
På lager: 0
Enhetspris : kr 15,68000
Datablad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
På lager: 0
Enhetspris : kr 2,49220
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 1 748
Enhetspris : kr 26,53000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 112 475
Enhetspris : kr 5,83000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 2 500
Enhetspris : kr 18,59000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
På lager: 1 708
Enhetspris : kr 22,11000
Datablad
TO-252 DPAK
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
TO-252 DPAK
TO-252 DPAK

FQD5N50CTM-WS

DigiKeys produktnummer
FQD5N50CTM-WS-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
FQD5N50CTM-WS
Beskrivelse
MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 500 V 4A (Tc) 2,5W (Ta) Overflatemontering TO-252 (DPak)
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FQD5N50CTM-WS Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
500 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
1.4Ohm ved 2A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
24 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
625 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
2,5W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-252 (DPak)
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.
Kan ikke avbestilles / kan ikke returneres