FQD5N20LTM er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


onsemi
På lager: 27 618
Enhetspris : kr 14,05000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 12 416
Enhetspris : kr 18,57000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 4 371
Enhetspris : kr 18,57000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 283
Enhetspris : kr 18,57000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 18,57000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 13 329
Enhetspris : kr 12,03000
Datablad
N-kanal 200 V 3,8A (Tc) 2,5W (Ta), 37W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 200 V 3,8A (Tc) 2,5W (Ta), 37W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
TO-252AA

FQD5N20LTM

DigiKeys produktnummer
FQD5N20LTMTR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
FQD5N20LTM
Beskrivelse
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 200 V 3,8A (Tc) 2,5W (Ta), 37W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
1.2Ohm ved 1.9A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
2V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
6.2 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
325 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
2,5W (Ta), 37W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-252AA
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.
Kan ikke avbestilles / kan ikke returneres