FQD4N20TM er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar

IRFR210PBF
Vishay Siliconix
På lager: 12 416
Enhetspris : kr 18,57000
Datablad

Similar

IRFR210TRLPBF
Vishay Siliconix
På lager: 4 371
Enhetspris : kr 18,57000
Datablad

Similar

IRFR210TRPBF
Vishay Siliconix
På lager: 283
Enhetspris : kr 18,57000
Datablad

Similar

IRFR210TRRPBF
Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 18,57000
Datablad
Vis og sammenlign alle erstatninger
N-kanal 200 V 3A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 200 V 3A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
TO-252AA

FQD4N20TM

DigiKeys produktnummer
FQD4N20TMFSTR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
onsemi
Produsentens produktnummer
FQD4N20TM
Beskrivelse
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 200 V 3A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FQD4N20TM Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
onsemi
Serie
QFET®
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
N-kanal
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
3A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
1.4Ohm ved 1.5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
6.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
220 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
2,5W (Ta), 30W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-252AA
Kapsling
TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Baseproduktnummer
FQD4N20
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.