FQB10N50CFTM-WS er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


onsemi
På lager: 6 978
Enhetspris : kr 44,32000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 281
Enhetspris : kr 52,37000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 700
Enhetspris : kr 50,15000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 47
Enhetspris : kr 153,18000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 1 524
Enhetspris : kr 104,93000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 366
Enhetspris : kr 42,21000
Datablad
N-kanal 500 V 10A (Tc) 143W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 500 V 10A (Tc) 143W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
TO-263

FQB10N50CFTM-WS

DigiKeys produktnummer
FQB10N50CFTM-WSTR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
FQB10N50CFTM-WS
Beskrivelse
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 500 V 10A (Tc) 143W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FQB10N50CFTM-WS Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
500 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
610mOhm ved 5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
60 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2210 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
143W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-263 (D2PAK)
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.