FDS3512 onsemi | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FDS3512
DigiKeys produktnummer	FDS3512TR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	onsemi
Produsentens produktnummer	FDS3512
Beskrivelse	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 4A (Ta) 2,5W (Ta) Overflatemontering 8-SOIC
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	onsemi
Serie	PowerTrench®
Emballasje	Tape og spole (TR)
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	80 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	4A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	70mOhm ved 4A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	18 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	634 pF @ 40 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,5W (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-SOIC
Kapsling	8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Baseproduktnummer	FDS35