Name: FDD1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDD1600N10ALZTR-ND
Price: 19.3 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FDD1600N10ALZ
DigiKeys produktnummer	FDD1600N10ALZTR-ND - Tape og spole (TR) FDD1600N10ALZCT-ND - Båndavsnitt (CT) FDD1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	onsemi
Produsentens produktnummer	FDD1600N10ALZ
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Produsentens standard leveringstid	20 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 6,8A (Tc) 14,9W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	FDD1600N10ALZ Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2.8V ved 250µA
Produsent onsemi	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 3.61 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 225 pF @ 50 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 14,9W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 155°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 100 V	Leverandørens enhetsforpakning TO-252AA
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 6,8A (Tc)	Kapsling TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 5V, 10V	Baseproduktnummer FDD1600
Rds på (maks) ved Id, Vgs 160mOhm ved 3.4A, 10V