FDC642P-F085 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Direkte

SI3443DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
På lager: 49 663
Enhetspris : kr 5,00000
Datablad

Similar

PMV48XPAR
Nexperia USA Inc.
På lager: 0
Enhetspris : kr 7,02000
Datablad
Vis og sammenlign alle erstatninger
P-kanal 20 V 4A (Ta) 1,2W (Ta) Overflatemontering SuperSOT™-6
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
P-kanal 20 V 4A (Ta) 1,2W (Ta) Overflatemontering SuperSOT™-6

FDC642P-F085

DigiKeys produktnummer
FDC642P-F085TR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
onsemi
Produsentens produktnummer
FDC642P-F085
Beskrivelse
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
P-kanal 20 V 4A (Ta) 1,2W (Ta) Overflatemontering SuperSOT™-6
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FDC642P-F085 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
onsemi
Serie
PowerTrench®
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
P-kanal
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
20 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
4A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
2,5V, 4,5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
65mOhm ved 4A, 4.5V
Vgs(th) (maks) ved Id
1.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
16 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
640 pF @ 10 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
1,2W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Bilteknikk
Godkjenning
AEC-Q101
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
SuperSOT™-6
Kapsling
SOT-23-6 tynn, TSOT-23-6
Baseproduktnummer
FDC642
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.
Kan ikke avbestilles / kan ikke returneres