FDB12N50FTM-WS onsemi | Diskrete halvlederprodukter

FDB12N50FTM-WS er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

onsemi

På lager: 6 978

Enhetspris : kr 44,32000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FDB12N50FTM-WS
DigiKeys produktnummer	FDB12N50FTM-WSTR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	onsemi
Produsentens produktnummer	FDB12N50FTM-WS
Beskrivelse	MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 500 V 11,5A (Tc) 165W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	FDB12N50FTM-WS Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	onsemi
Serie	UniFET™
Emballasje	Tape og spole (TR)
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	500 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	11,5A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	700mOhm ved 6A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	30 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1395 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	165W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	TO-263 (D2PAK)
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	FDB12N50