FCPF9N60NT er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


onsemi
På lager: 910
Enhetspris : kr 41,75000
Datablad

Direkte


Toshiba Semiconductor and Storage
På lager: 112
Enhetspris : kr 35,21000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 400
Enhetspris : kr 20,01000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 373
Enhetspris : kr 20,40000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 373
Enhetspris : kr 38,77000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 325
Enhetspris : kr 25,98000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 814
Enhetspris : kr 31,27000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 697
Enhetspris : kr 33,87000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 32,71000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 493
Enhetspris : kr 29,73000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 378
Enhetspris : kr 25,30000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 1 700
Enhetspris : kr 18,57000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 763
Enhetspris : kr 49,55000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 603
Enhetspris : kr 49,64000
Datablad
N-kanal 600 V 9A (Tc) 29,8W (Tc) Gjennomgående hull TO-220F-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FCPF9N60NT

DigiKeys produktnummer
FCPF9N60NT-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
FCPF9N60NT
Beskrivelse
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 600 V 9A (Tc) 29,8W (Tc) Gjennomgående hull TO-220F-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
FCPF9N60NT Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Rør
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
385mOhm ved 4.5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
29 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1240 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
29,8W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-220F-3
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.