FCD7N60TF er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar


Infineon Technologies
På lager: 3 667
Enhetspris : kr 18,95000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 11 488
Enhetspris : kr 11,54000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 8 769
Enhetspris : kr 26,55000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 7,71656
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 6,95491
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 6,95491
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 3 552
Enhetspris : kr 16,07000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 1 078
Enhetspris : kr 22,03000
Datablad
N-kanal 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
TO-252AA

FCD7N60TF

DigiKeys produktnummer
FCD7N60TFTR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
FCD7N60TF
Beskrivelse
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
600mOhm ved 3.5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
920 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
83W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-252AA
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.