PHB18NQ10T,118
DigiKeys produktnummer	PHB18NQ10T,118-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	Nexperia USA Inc.
Produsentens produktnummer	PHB18NQ10T,118
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 18A (Tc) 79W (Tc) Overflatemontering D2PAK
Datablad	Datablad

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 1mA
Produsent Nexperia USA Inc.	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 21 nC @ 10 V
Serie TrenchMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR)	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 633 pF @ 25 V
Delestatus Utdatert	Effekttap (maks) 79W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 100 V	Leverandørens enhetsforpakning D2PAK
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 18A (Tc)	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer PHB18NQ10
Rds på (maks) ved Id, Vgs 90mOhm ved 9A, 10V

Delenummer	Produsent	Antall tilgjengelig	DigiKeys produktnummer	Enhetspris	Type erstatning
FDB047N10	onsemi	22	FDB047N10CT-ND	kr 48,65000	Similar
FDB120N10	onsemi	34	FDB120N10CT-ND	kr 30,03000	Similar
FDB3632	onsemi	0	FDB3632CT-ND	kr 41,35000	Similar
FDB3682	onsemi	1 324	FDB3682FSCT-ND	kr 30,97000	Similar
FQB33N10LTM	onsemi	100	FQB33N10LTMCT-ND	kr 23,11000	Similar

PHB18NQ10T,118