Similar

Type | Beskrivelse | Velg alle |
|---|---|---|
Kategori | ||
Produsent | IXYS | |
Serie | - | |
Emballasje | Rør | |
Delestatus | Utdatert | |
Teknologi | Silisiumkarbid (SiC) | |
Konfigurasjon | 2 N-kanal (dobbel) | |
FET-egenskap | - | |
Drain til Source-spenning | 1200V (1,2kV) | |
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C | 55A (Tc) | |
Rds på (maks) ved Id, Vgs | 34mOhm ved 50A, 20V | |
Vgs(th) (maks) ved Id | 4V ved 15mA | |
Vgs Gate-lading (Qg) (maks) | 161nC ved 20V | |
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds | 2790pF ved 1000V | |
Effekt - maks | - | |
Driftstemperatur | -55°C – 150°C | |
Grad | - | |
Godkjenning | - | |
Monteringstype | Overflatemontering | |
Kapsling | 9-SMD-strømmodul | |
Leverandørens enhetsforpakning | SMPD | |
Baseproduktnummer |


