Name: IXTP1R6N50D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP1R6N50D2-ND
Price: 58.175 NOK
Availability: InStock

N-kanal, utarmingsmodus 500 V 1,6A (Tc) 100W (Tc) Gjennomgående hull TO-220-3

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IXTP1R6N50D2
DigiKeys produktnummer	238-IXTP1R6N50D2-ND
Produsent	IXYS
Produsentens produktnummer	IXTP1R6N50D2
Beskrivelse	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Produsentens standard leveringstid	32 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal, utarmingsmodus 500 V 1,6A (Tc) 100W (Tc) Gjennomgående hull TO-220-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	IXYS
Serie	Depletion
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal, utarmingsmodus
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	500 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	1,6A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	-
Rds på (maks) ved Id, Vgs	2.3Ohm ved 800mA, 0V
Vgs(th) (maks) ved Id	-
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	23.7 nC @ 5 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	645 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	100W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-220-3
Kapsling	TO-220-3
Baseproduktnummer	IXTP1

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 300

Fabrikklager: 850

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 46,54000	kr 46,54
50	kr 24,03000	kr 1 201,50
100	kr 21,84890	kr 2 184,89
500	kr 18,02666	kr 9 013,33
1 000	kr 16,79954	kr 16 799,54
2 000	kr 16,61179	kr 33 223,58

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.