IXTH20N65X IXYS | Diskrete halvlederprodukter

IXTH20N65X er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

IXYS

På lager: 111

Enhetspris : kr 76,39000

Similar

Vishay Siliconix

På lager: 0

Enhetspris : kr 62,12000

Similar

Infineon Technologies

På lager: 1 847

Enhetspris : kr 55,28000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 124

Enhetspris : kr 37,49000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 565

Enhetspris : kr 68,35000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IXTH20N65X
DigiKeys produktnummer	IXTH20N65X-ND
Produsent	IXYS
Produsentens produktnummer	IXTH20N65X
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 20A (Tc) 320W (Tc) Gjennomgående hull TO-247 (IXTH)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	IXYS
Serie	Ultra X
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	20A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	210mOhm ved 10A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	5.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	35 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1390 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	320W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-247 (IXTH)
Kapsling	TO-247-3
Baseproduktnummer	IXTH20