Name: IXSJ80N120R1K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1K-ND
Price: 366.3625 NOK
Availability: OutOfStock

Nytt produkt

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IXSJ80N120R1K
DigiKeys produktnummer	238-IXSJ80N120R1K-ND
Produsent	IXYS
Produsentens produktnummer	IXSJ80N120R1K
Beskrivelse	1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Produsentens standard leveringstid	32 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 85A (Tc) 223,2W (Tc) Gjennomgående hull ISO247-4L
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	IXYS
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	85A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	23,4mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	4,8Vved 22,2mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	155 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+21V, -4V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4556 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	223,2W (Tc)
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	ISO247-4L
Kapsling	TO-247-4

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

0 På lager

Kontroller leveringstid

Be om lagervarsel

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 293,09000	kr 293,09
30	kr 190,36600	kr 5 710,98
120	kr 183,17950	kr 21 981,54

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.