Name: IXSH100N65L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSH100N65L2KHV-ND
Price: 139.5875 NOK
Availability: OutOfStock

Nytt produkt

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IXSH100N65L2KHV
DigiKeys produktnummer	238-IXSH100N65L2KHV-ND
Produsent	IXYS
Produsentens produktnummer	IXSH100N65L2KHV
Beskrivelse	650V 25M (100A @ 25C) SIC MOSFET
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 99A (Tc) 454W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	IXYS
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	99A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	33mOhm ved 40A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	4,5V ved 12mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	125 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+20V, -5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	3090 pF @ 600 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	454W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-247-4L
Kapsling	TO-247-4

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

0 På lager

Kontroller leveringstid

Be om lagervarsel

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 111,67000	kr 111,67
10	kr 77,28200	kr 772,82
450	kr 53,07107	kr 23 881,98

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.