IXFX90N60X IXYS | Diskrete halvlederprodukter

IXFX90N60X er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

IXYS

På lager: 435

Enhetspris : kr 196,60000

Similar

onsemi

På lager: 282

Enhetspris : kr 157,40000

Similar

Rohm Semiconductor

På lager: 0

Enhetspris : kr 256,50000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 30

Enhetspris : kr 134,58000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IXFX90N60X
DigiKeys produktnummer	IXFX90N60X-ND
Produsent	IXYS
Produsentens produktnummer	IXFX90N60X
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 600 V 90A (Tc) 1100W (Tc) Gjennomgående hull PLUS247™-3

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	90A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	38mOhm ved 45A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4.5V ved 8mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	210 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	8500 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	1100W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	PLUS247™-3
Kapsling	TO-247-3Variant
Baseproduktnummer	IXFX90