Name: IMW120R040M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R040M1HXKSA1-ND
Price: 153.15 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMW120R040M1HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMW120R040M1HXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMW120R040M1HXKSA1
Beskrivelse	SIC DISCRETE
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 55A (Tc) 227W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMW120R040M1HXKSA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	55A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	54,4mOhm ved 19,3A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,2Vved 10mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	51 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+20V, -5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1620 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	227W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO247-3
Kapsling	TO-247-3

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 397

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 122,52000	kr 122,52
30	kr 73,93167	kr 2 217,95
120	kr 63,27608	kr 7 593,13
510	kr 62,36765	kr 31 807,50

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.