SPD03N50C3ATMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Direkte


STMicroelectronics
På lager: 1 899
Enhetspris : kr 20,01000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 2 488
Enhetspris : kr 15,01000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 2 205
Enhetspris : kr 22,13000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
På lager: 3 859
Enhetspris : kr 20,68000
Datablad
N-kanal 500 V 3,2A (Tc) 38W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SPD03N50C3ATMA1

DigiKeys produktnummer
SPD03N50C3ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
SPD03N50C3ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT)
SPD03N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Produsentens produktnummer
SPD03N50C3ATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 500 V 3,2A (Tc) 38W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SPD03N50C3ATMA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
500 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
1.4Ohm ved 2A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
3.9V ved 135µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
15 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
350 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
38W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO252-3
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Markedsplass-lagervare: 188 850 vis nå
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.

Other Suppliers on DigiKey

188 850På lager
Sendes fra # VALUE1#