Name: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 81.8625 NOK
Availability: OutOfStock

MOSFET-er – matriser 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Overflatemontering PG-WHITFN-10-1

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

ISG0616N10NM5HSCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	ISG0616N10NM5HSCATMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Produsentens standard leveringstid	48 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Overflatemontering PG-WHITFN-10-1
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser	Rds på (maks) ved Id, Vgs 4mOhm ved 50A, 10V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 3,8V ved 85µA
Serie OptiMOS™ 5	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 78nC ved 10V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 4800pF ved 50V
Delestatus Aktiv	Effekt - maks 3W (Ta), 167W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Konfigurasjon 2 N-kanal (halv bro)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 100V	Kapsling 10-PowerWDFN
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 19A (Ta), 139A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-WHITFN-10-1