Name: ISC104N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC104N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 33.0375 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

ISC104N12LM6ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISC104N12LM6ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-ISC104N12LM6ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-ISC104N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	ISC104N12LM6ATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Produsentens standard leveringstid	20 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 120 V 11A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 94W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8
Datablad	Datablad

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	120 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	11A (Ta), 63A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	3,3V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	10,4mOhm ved 28A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.2V ved 35µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	26 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1800 pF @ 60 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3W (Ta), 94W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	ISC104

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 26,43000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 33,03750

ISC104N12LM6ATMA1