Name: ISC0802NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC0802NLSATMA1TR-ND
Price: 26.6625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

ISC0802NLSATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISC0802NLSATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-ISC0802NLSATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-ISC0802NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	ISC0802NLSATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 22A (Ta), 150A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-7
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	ISC0802NLSATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2,3V ved 92µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 73 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 5190 pF @ 50 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 100 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TDSON-8-7
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 22A (Ta), 150A (Tc)	Kapsling 8-PowerTDFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer ISC0802N
Rds på (maks) ved Id, Vgs 3.6mOhm ved 50A, 10V