Name: ISC079N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC079N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 55.025 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

ISC079N15NM6ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISC079N15NM6ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-ISC079N15NM6ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-ISC079N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	ISC079N15NM6ATMA1
Beskrivelse	TRENCH >=100V
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 150 V 12,8A (Ta), 95A (Tc) 3W (Ta), 165W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	ISC079N15NM6ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	150 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	12,8A (Ta), 95A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	8V, 15V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	7,4mOhm ved 36A, 15V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 77µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	40 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2900 pF @ 75 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3W (Ta), 165W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8
Kapsling	8-PowerTDFN