IRFH7110TRPBF Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IRFH7110TRPBF er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

Diodes Incorporated

På lager: 0

Enhetspris : kr 3,86575

Similar

STMicroelectronics

På lager: 13 275

Enhetspris : kr 20,71000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 3 102

Enhetspris : kr 23,62000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 7 066

Enhetspris : kr 13,97000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IRFH7110TRPBF
DigiKeys produktnummer	IRFH7110TRPBFTR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IRFH7110TRPBF
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 11A (Ta), 58A (Tc) 3,6W (Ta), 104W (Tc) Overflatemontering 8-PQFN (5x6)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Emballasje	Tape og spole (TR)
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	11A (Ta), 58A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	13.5mOhm ved 35A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 100µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	87 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	3240 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3,6W (Ta), 104W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-PQFN (5x6)
Kapsling	8-TQFN-eksponert plate