Name: IQFH36N04NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQFH36N04NM6ATMA1TR-ND
Price: 66.0875 NOK
Availability: OutOfStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQFH36N04NM6ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQFH36N04NM6ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQFH36N04NM6ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQFH36N04NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQFH36N04NM6ATMA1
Beskrivelse	IQFH36N04NM6ATMA1
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 66A (Ta), 656A (Tc) 3W (Ta), 300W (Tc) Overflatemontering PG-TSON-12-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQFH36N04NM6ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	66A (Ta), 656A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	0,36mOhm ved 100A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2,8V ved 1,05mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	309 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	18600 pF @ 20 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3W (Ta), 300W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TSON-12-1
Kapsling	12-PowerTDFN

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

0 På lager

Kontroller leveringstid

Be om lagervarsel

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®