Name: IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND
Price: 32.1625 NOK
Availability: InStock

Nytt produkt

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Beskrivelse	TRENCH <= 40V
Produsentens standard leveringstid	52 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 25 V 43A (Ta), 282A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9-1
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	25 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	43A (Ta), 282A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	0.8mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2V ved 279µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	37 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	3900 pF @ 12 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,5W (Ta), 107W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-WHTFN-9-1
Kapsling	9-PowerWDFN