Name: IQDH29NE2LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5ATMA1TR-ND
Price: 53.525 NOK
Availability: OutOfStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

IQDH29NE2LM5ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQDH29NE2LM5ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQDH29NE2LM5ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQDH29NE2LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQDH29NE2LM5ATMA1
Beskrivelse	TRENCH <= 40V
Produsentens standard leveringstid	17 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Overflatemontering PG-TSON-8-9
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQDH29NE2LM5ATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	25 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	75A (Ta), 789A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	0,29mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2V ved 1,448mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	254 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	17000 pF @ 12 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TSON-8-9
Kapsling	8-PowerTDFN

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 42,82000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 53,52500

IQDH29NE2LM5ATMA1