IPW65R150CFDFKSA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Parametrisk ekvivalent


Infineon Technologies
På lager: 240
Enhetspris : kr 44,16000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 569
Enhetspris : kr 128,53000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 26,77680
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 309
Enhetspris : kr 39,73000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 582
Enhetspris : kr 38,77000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
På lager: 23
Enhetspris : kr 53,40000
Datablad
N-kanal 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3
PG-TO247-3

IPW65R150CFDFKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IPW65R150CFDFKSA1-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
IPW65R150CFDFKSA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Rør
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
150mOhm ved 9.3A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4.5V ved 900µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
86 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2340 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
195,3W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO247-3
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.