IPW65R110CFDFKSA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Parametrisk ekvivalent


Infineon Technologies
På lager: 194
Enhetspris : kr 63,92000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 610
Enhetspris : kr 88,95000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 382
Enhetspris : kr 78,80000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 81,21000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhetspris : kr 66,04000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhetspris : kr 51,46000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 508
Enhetspris : kr 60,81000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhetspris : kr 71,46000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 600
Enhetspris : kr 80,01000
Datablad
IHW15N120R3FKSA1
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPW65R110CFDFKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IPW65R110CFDFKSA1-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
IPW65R110CFDFKSA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3-1
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Rør
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
110mOhm ved 12.7A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4.5V ved 1.3mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
118 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
3240 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
277,8W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO247-3-1
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.